РЕШЕНИЕ         

Международного конгресса по сильноточной электронике,
модификации материалов и радиационной физике

«Потоки энергии и радиационные эффекты» EFRE-2014

С 21 по 26 сентября 2014 г. в г. Томске (Россия) состоялся Международный конгресс по сильноточной электронике, модифицированию материалов с помощью пучков заряженных частиц и потоков плазмы, и радиационной физике и химии конденсированных сред «Потоки энергии и радиационные эффекты» (далее – Конгресс).

В программный и организационный комитеты Конгресса вошли ведущие ученые многих стран мира и представители научной общественности Томска. Все мероприятия проводились на базе Томского научного центра СО РАН, Института сильноточной электроники СО РАН, Института оптики атмосферы СО РАН с активным участием Национального исследовательского Томского политехнического университета.

В рамках Конгресса состоялись следующие мероприятия:

• 16 Международная конференция по радиационной физике и химии конденсированных сред (International Conference on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter,  RPC-16);
• 18 Международный симпозиум по сильноточной электронике (International Symposium on High-Current Electronics, SHCE-18);
• 12 Международная конференция по модификации материалов пучками заряженных частиц и потоками плазмы (International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows, CMM-12);
• Международная научная школа-семинар для молодежи «Физика и технология обработки материалов потоками энергии»;
• Круглый стол с привлечением представителей РОСНАНО, Сколково и наноцентров.

Участники

В работе Конгресса приняли участие представители более 60 ведущих российских и зарубежных научных, образовательных организаций и бизнес структур. Общая численность зарегистрированных участников составила 490 человек, в том числе 72 участника из 11 зарубежных стран (Германия, Франция, Япония, Египет, Китай, Пакистан, Белоруссия, Казахстан, Израиль, Вьетнам, Италия), 217 человек (40%) – моложе 35 лет. В мероприятиях конгресса приняли участие научные сотрудники, студенты и представители промышленности г. Томска.

Результаты работы:

1. Для участия в работе конгресса было заявлено 219 устных и 319 стендовых доклада. На конгрессе было зачитано на пленарной секции – 3, на заседаниях конференций – 153 устных доклада, представлено 174 стендовых докладов.

2. В рамках Международной научной школы-семинара для молодежи «Физика и технология обработки материалов потоками энергии» ведущими учёными прочитаны 9 лекций для студентов и аспирантов томских университетов (общее количество слушателей – около 1300 человек).

3. Многие доклады вызвали большой интерес участников. Особенно это относится к работам, приводящим к принципиально новым результатам или имеющим хорошие перспективы практического применения.

4. Состоялись визиты (экскурсии) участников Конгресса в университеты и научно-исследовательские институты Томска (ТПУ, ИСЭ, ИОА и др.).

5. Наблюдается рост интереса к Конгрессу со стороны молодых ученых и специалистов (250 участников в возрасте до 35 лет). Оргкомитет отмечает высокое качество лекций, прочитанных в рамках Международной научной школы-семинара приглашёнными учёными.

6.Оргкомитет провёл конкурс работ молодых учёных, представленных на Конгрессе, и присудил их авторам следующие награды:

1. Геннадий Богдасаров (Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша) – Премия имени профессора А.А. Воробьева в области сильноточной электроники;

2. Камиль Рамазанов (Уфимский государственный авиационный технический университет, Россия) – Премия имени профессора Ю.Е. Крейнделя в области радиационных и плазменных технологий;

3. Ксения Петровых (Уральский федеральный университет, Россия) – Премия имени профессора П.С. Тартаковского в области радиационной физики твердого тела.

Дипломами организационного комитета отмечены доклады следующих участников:

Василий Крутиков (Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия)

Анна Керея (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)

Виктор Куркучеков (Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия)

Наталья Лазарева (Иркутский филиал института лазерной физики СО РАН, Иркутск, Россия)

Максим Власов (Институт промышленной экологии УрО РАН, Екатеринбург, Россия)

Степан Зырянов (Уральский государственный университет, Екатеринбург, Россия)

Наталья Соболева (Институт машиноведения, УрО РАН, Екатеринбург, Россия)

Константин Нагаев (Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия)

Елизавета Петрикова (Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия)

7.В Конгрессе приняли участие представители бизнеса, занятые в сфере разработки и поставки научного, аналитического и производственного оборудования для организаций, ведущих работы в области радиационных и плазменных технологий.

Участники Конгресс постановили:

1. Признать, что Конгресс был проведён на высоком научном и организационном уровне.

2. Выразить благодарность Федеральному агентству научных организаций, Министерству образования и науки РФ, Российскому фонду фундаментальных исследований, Томскому научному центру, Институту сильноточной электроники СО РАН, Национальному исследовательскому Томскому политехническому университету за поддержку и организацию проведения Конгресса.

3. Поручить оргкомитету в минимальные сроки организовать издание научных трудов Конгресса.

4. Практику проведения Международной школы-семинара считать удачной. Привлекать к участию в работе Конгресса студентов, аспирантов и молодых специалистов, поощрять их научные успехи и достижения.

5. Оргкомитету отправить настоящее решение руководителям вузов и научных организаций, представители которых принимали участие в работе Конгресса.

6. Впредь активно привлекать к участию в Конгрессе представителей бизнеса, работающих в области его тематических интересов.

7. Практику проведения круглых столов с привлечением представителей РОСНАНО, Сколково и наноцентров считать удачной.

8. Провести следующий Конгресс в сентябре 2016 года в г. Томске, (Россия).

Председатель программного комитета, член-корр. РАН                          Ратахин Н.А.

Сопредседатель Конгресса, академик РАН                                              Ковальчук Б.М.